ელექტრული გამტარობის შესაძლებლობების შესწავლა თუთიის გალატში, ZnGa2O4

ავტორი: ცოტნე გამსახურდაშვილი
საკვანძო სიტყვები: ფართოზონიანი ოქსიდი, თუთიის გალატი, გამტარებლობა, წერტილოვანი დეფექტები
ანოტაცია:

სამაგისტრო ნაშრომში განხილული იქნება სპინელის სტრუქტურის (AB2O4) ნახევარგამტარი ნივთრიერება ZnGa2O4 (თუთიის გალატი); კერძოდ ჩვენ თეორიულად შევისწავლეთ ელექტრული გამტარობის მართვის შესაძლებლობები და დავადგინეთ ელ. გამტარობაზე პასუხისმეგებელი დეფექტი. თუთიის გალატს საკმაოდ ფართო - დაახლოებით 5eV-ის, აკრძალული ზონა გააჩნია და მაღალი ქიმიური სტაბილურობისა და გამორჩეული ოპტიკური თვისებების გამო ძალიან პერსპექტიული მასალაა ოპტოელექტრონიკაში და მაღალი სიმძლავრის დანადგარებში. ელექტრული გამტარობის მართვის შესაძლებლობების შესასწავლად გამოყენებული იყო კროგერის კვაზი-ქიმური რეაქციების მეთოდი, რომელიც საშუალებას გვაძლევს განვსაზღვროთ მუხტის მატარებლებისა და გამტარობაზე პასუხისმგებელი დეფექტების კონცენტრაციები, როგორც გარემომცველი ატმოსფეროს ტემპერატურისა და წნევის ფუნქცია, რაც საშუალებას გვაძლევს ვიპოვოთ ამ თერმოდინამიკური სიდიდეების ოპტიმალური პარამეტრები. ამ მეთოდის თანახმად მუხტის მატარებლების და დეფექტების გაჩენის, მათი ურთიერთქმედების რეაქციები წარმოდგინდება ქიმიური რეაქციების სახით და მოქმედ მასათა კანონის საშუალებით ხდება წონასწორული კონცენტრაციების განსაზღვარა. წარმოდგენილ ნაშრომში შესწავლილია როგორც თუთიის გალატის მოცულობითი ნიმუშები, ასევე კვანტური ფენები.

მიმაგრებული ფაილები:

ნაშრომი [ka]