კრიტიკული ველის განსაზღვრა ფართოზონიან ნახევარგამტარებში

ავტორი: რომან კუტუბიძე
საკვანძო სიტყვები: კრიტიკული, ნახევარგამტარი, ტუნელირება
ანოტაცია:

Energy and Power ელექტრონიკა დამოკიდებულია ნახევარგამტარული მოწყობილობის უნარზე შეინარჩუნოს მაღალი ელექტრული ველი.ასეთი უნარი თავის მხრივ დამოკიდებულია ნახევარგამტარის ფუნდამენტურ თვისებებზე ,როგორიცაა Εg - ღრეჩოს სიღრმე და პროცესი რომელსაც მივყავართ გარღვევამდე.გარღვევა - როცა მაღალი წინაღობის მქონე ნივთიერება იწებს დენის გატარებას საკმარისად მაღალი ველისთვის. განვიხილავთ მექანიზმს რომელიც ზრდის მუხტების ემისიას ჩამჭერი ცენტრებიდან.წონასწორობაში ლოკალიზებული ელექტრონების კონცენტრაცია უცვლელია, ჩაჭერა და ემისია ერთნაირია.გარე ელექტრული ველის მოდებისას ეს წონასწორობა შეიძლება დაირღვეს და დამყარდეს ახალი წონასწორობა სადაც ლოკალიზებული ელექტრონების რაოდენობა იქნება განსხვავებული .გარღვევას შეიძლება იწვევდეს თვისობრივად სხვადასხვა ტიპის მექანიზმები.ამ ნაშრომში დათვლილია ერთის მხრივ დარტყმითი იონიზაციის თეორიის გამოყენებით მიღებული გარღვევის ველი , მეორე მხრივ კი კვანტური ტუნელირებით და შედარებულია ისინი რათა გავიგოთ რომელი ეფექტია დომინანტური და რა პირობებში.