ზეთხელი მეტალის ოქსიდური ფირების დაფნის ტექნოლოგიის დამუშავება

ა ნ ო ტ ა ც ი ა სადიპლომო ნაშრომში წარმოდგენილია ნახევარგამტარ სილიციუმისა და საფირონის ფუძეშრეებზე გარდამავალ მეტალ ცირკონიუმის და ძნელად დნობად მეტალ ვოლფრამის ზეთხელი ოქსიდური ფირების მიღება, შესაბამისი მეტალების მაგნეტრონული გაფრქვევის მეთოდით და შემდგომში მათი გამოყენება მემრისტორის აქტიურ შრეში. შემუშავდა მათი მიღების ტექნოლოგიური მარშრუტი. მიღებულ იქნა ერთ პროცესში, ორშრიანი ოქსიდებისგან შემდგარი სტრუქტურები, მათი მაგნეტრონული გაფრქვევით ჟანგბადის და არგონის არეში, სხვადასხვა პარციალურ წნევებზე. ცალკეული ოქსიდური ფირების ელექტრული და სტრუქტურული მახასიათებლების შესწავლისთვის, იმავე ტექნოლოგიურ რეჟიმში მიღებულ იქნა თითოეული ოქსიდური შრე ცალ–ცალკე. კვლევაში გადაწყვეტილია სხვადასხვა ძირითადი ამოცანები როგორებიცაა, ორმაგი და ერთმაგი შრეებიის მიღება მაგნეტრონული გაფრქვევის სხვადასხვა ტექნოლოგიურ პირობებში, საჭირო რენდგენო სტრუქტურული ანალიზისათვის სპექტრების ჩაწერა, ძაბვა-ტევადობის (C-V) მახასიათებლების და მემრისტორის ძაბვა-დენის (I-V) მახასიათებლების გაზომვები. შეჯამდა შესაბამისი გაზომვის შედეგები და გაკეთდა დასკვნები, რომლებითაც დადგინდა, რომ მიღებული ოქსიდური ფირები სრულად აკმაყოფილებს მათ წინაშე წაყენებულ მოთხოვნებს.