მოლეკულურ სხივური ეპიტაქსიის მეთოდით ჰეტეროსტრუქტურების მიღება და მათი ელექტროფიზიკური თვისებების შესწავლა

ავტორი: ლუკა ცაბაძე
საკვანძო სიტყვები: მოლეკულურ, სხივური, ეპიტაქსია, ჰეტეროსტრუქტურები
ანოტაცია:

ბოლო ხანებში დიდი ყურადღება ეთმობა ისეთი ნახევარგამტარული ელექტრონული და ოპტიკური ხელსაწყოების შექმნას რომლებიც იქნება გამოყენებული სფეროებში როგორებიცაა მაღალი ენერგიების ფიზიკა, კოსმოსური კვლევები, გარემოს მონიტორინგი, მედიცინა და ა.შ. ძირითადად ასეთ ხელსაწყოებში აქტიურ ელემენტებად გამოიყენება დიოდები და ტრანზისტორები შექმნილი ჰეტეროსტრუქტურულ ნახევარგამტარებზე ორმაგი ელექტონული აირით (2DEG). ერთერთი თანამედროვე მეთოდი ჰეტეროსტრუქტურების მისაღებად არის მოლეკულურ სხივური ეპიტაქსია. ესაა ზემაღალ ვაკუუმში სუფთა მასალებისგან მიღებული თხელი ნანო ზომის ფირები. ჩემი ნაშრომი ეძღვნება ასეთი ნანოჰეტეროსტრუქტურების GaAs/AlGaAs/InGaAs ორ განზომილებიანი ელექტრონული აირის მსე-ის ტექნოლოგიით მიღებას. ექსპერიმენტის მიმდინარეობისას იყო დამუშავებული ზრდის ტექნოლოგიური პარამეტრები (მაღალი ვაკუუმის მიღება, ზრდის სიჩქარის და საფენის ტემპერატურის დადგენა) მიღებული ჰეტეროსტრუქტურების ელექტროფიზიკურ (ძირითადი მატარებლების კონცენტრაცია და მათი ძვრადობა, კურითი წინააღმდეგობა) თვისებებს შორის. ექსპერიმენტში მიღებული ჰეტეროსტრუქტურების ელექტროფიზიკური პარამეტრების გასაზომად იყო გამოყენებული (უკონტაქტო ზემაღალი სიხშირის შთანთქმის მაგნიტო წინააღმდეგობის გაზომვის მეთოდი და აგრეთვე ვან-დერ-პაუს მეთოდი (ჰოლის მეთოდი ზეთხელი ფირებისთვის)). დავადგინეთ ფირის თვისებები, მუხტის მატარებლების კონცენტრაცია, ძვრადობა და კუთრი წინააღმდეგობა. მოვახდინეთ კორელაცია ტექნოლოგიურ პარამეტრებს და ელექტროფიზიკურ პარამეტრებს შორის.