დიფუზიური პროცესების შესწავლა მყარ სხეულებში

სადიპლომო ნაშრომში წარმოდგენილია ნახევარგამტარ სილიციუმის საფუძველზე მიკრო სქემის ძირითადი ელემენტის - p-n გადასასვლელების მიღების დაბალტემპერატურული ტექნოლოგია, განსაზღვრულია მათი ძირითადი ელექტრო–ფიზიკური და ოპტიკური პარამეტრები. მათი მიღების ტრადიციული ტექნოლოგია მაღალტემპერატურულია (~1100C), რომელიც იწვევს გვერდით, უმართავ მოვლენებს, რაც აუარესებს ხელსაწყოს და შესაბამისად მიკრო სქემის პარამეტრებს. სადიპლომო ნაშრომში შემუშავებულია p-n გადასასვლელების მიღების ტექნოლოგიური მარშრუტი, დიფუზანტების დაფენის მარტივი მეთოდი, შემუშავებული და გამოყენებულია დაბალტემპერატურული ორიგინალური იმპულსურ ფოტონური დიფუზიის ტექნოლოგიური პროცესები, შესწავლილია მიღებული სტრუქტურების პარამეტრების ისეთი, როგორიცაა დიფუზიური ფენის სიღრმე, ზედაპირული წინაღობა, მათი ოპტიკური პარამეტრები და ა.შ. ჩატარებული შესაბამის გაზომვებიდან შეჯამდა შედეგები და გაკეთდა საერთო დასკვნები, რომლებითაც დადგინდა, რომ მიღებული დიოდები სრულად აკმაყოფილებენ მათ წინაშე წაყენებულ მოთხოვნებს.