ზეთხელი დიელექტრიკული ფირების მიღების ტექნოლოგიის დამუშავება

წინამდებარე სადიპლომო ნაშრომში განხილულია გარდამავალი მეტალების ჰაფნიუმის, ცირკონიუმისა და იტრიუმის ოქსიდების მიღებისა და კვლევის ტექნოლოგიური პროცესები. შემუშავებულია ოქსიდების ფორმირების დაბალტემპერატურული მაგნეტრონული გაფრქვევის ტექნოლოგიური პროცეცსები, რომლებიც მიმდიდარეობდა მოდერნიზებულ ვაკუუმურ დანადგარზე. დანადგარი იძლეოდა საშუალებას მომხდარიყო ცალ-ცალკე ორი სხვადასხვა გარდამავალი მეტალის ოქსიდური ფირების დაფენები ვაკუუმის დარღვევის გარეშე. ოქსიდები ეფინებოდა განმხოლოებით და განსაზღვრული თანმიმდევრობით სილიციუმის და საფირონის საფენებზე ოქსიდების სხვადასხვა პარამეტრების გაზომვის მიზნით. შემუშავდა ოქსიდების ფორმირებისთვის შესაბამისი ტექნოლოგიური მარშრუტი და დადგინდა ოპტიმალური პროცესები. განისაზღვრა ელექტრო-ფიზიკური, დიელექტრიკული და ოპტიკური პარამეტრები. მათ საფუძველზე განისაზღვრა ტექნოლოგიური მარშრუტი იონისტორული სრტუქტურის ფორმირებისთვის. დაზუსტდა იონისტორულ სამშრიან სტრუქტურაში შრეთა თანმიმდევრობა. შეჯამდა შესაბამისი გაზომვის შედეგები და გაკეთდა დასკვნები, რომელთა საფუძველზე დადგინდა შექმნილი სტრუქტურის მაღალი ხარისხი და პერსპექტიულობა.